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深圳COB光源價(jià)格區(qū)別

來源：發(fā)布時(shí)間：2021-10-27 點(diǎn)擊量：409

且緊密組合的LED晶片能最大化的高效發(fā)光，所以當(dāng)COB光源通電后看不出獨(dú)立的單個(gè)發(fā)光點(diǎn)而更像是一整塊發(fā)光板。

COB光源價(jià)格1)、將多個(gè)晶片分別固定在基板的預(yù)留位上；2)、將所述晶片與所述基板通過導(dǎo)電線進(jìn)行電性連接，使所述晶片與所述基板上的電路實(shí)現(xiàn)導(dǎo)通；3)、在所述基板上設(shè)置第一層圍壩COB光源價(jià)格

，所述晶片以及導(dǎo)電線處于所述第一層圍壩的包圍區(qū)域內(nèi)，將設(shè)置好所述第一層圍壩的所述基板進(jìn)行烘烤，待所述第一層圍壩固化后取出；在所述第一層圍壩上設(shè)置第二層圍壩，將設(shè)置好所述第二層圍壩的所述基板進(jìn)行烘烤，待所述第二層圍壩固化后取出；所述第一層圍壩以及第二層圍壩形成整體式的整體圍壩；光衰較大失效的主要原因是硅膠的黃化或透過率降低。正裝結(jié)構(gòu)LEDp、n電極在LED的同一側(cè)，電流須橫向流過n-GaN層，導(dǎo)致電流擁擠，局部發(fā)熱量高，限制了驅(qū)動(dòng)電流；其次，由于藍(lán)寶石襯底導(dǎo)熱性差，嚴(yán)重阻礙了熱量的散失。在長時(shí)間使用過程中，因?yàn)樯岵缓枚鴮?dǎo)致的高溫，影響到硅膠的性能和透過率，從而造成較大的光輸出功率衰減。

COB光源價(jià)格4)在整體圍壩內(nèi)填充熒光膠16，待熒光膠16自然平鋪后，將基板12放進(jìn)離心設(shè)備中進(jìn)行旋轉(zhuǎn)離心，使熒光膠16中的熒光粉沉淀到熒光膠16的下部

此外，材料、制造設(shè)備的改進(jìn)與COB的發(fā)展相輔相成，也加速了COB性價(jià)比的提升，顯現(xiàn)出其在商業(yè)照明領(lǐng)域的優(yōu)勢。

。由于在步驟3)中設(shè)置了兩層圍壩，使得圍壩總體高度增加，避免了填充在圍壩內(nèi)的熒光膠16在基板12進(jìn)行離心時(shí)溢出的情況發(fā)生；

COB光源價(jià)格目前最貴的美國COB光源價(jià)格芯片，其次是日本芯片和德國COB光源價(jià)格芯片，價(jià)格最低的臺(tái)灣COB光源價(jià)格芯片，散熱性能稍差。

COB封裝就是將芯片直接貼裝到光源的基板上，使用時(shí)COB光源與熱沉直接相連，無需進(jìn)行SMT表面組裝。SMD封裝則先將芯片貼裝在支架上成為一個(gè)器件，使用時(shí)需將器件貼裝到基板上再與熱沉連接。兩者的熱阻結(jié)構(gòu)示意圖如圖1所示，相對于SMD器件，COB熱阻比SMD在使用時(shí)少了支架層熱阻與焊料層熱阻，芯片的熱量更容易傳遞到熱沉。