光衰較大失效的主要原因是硅膠的黃化或透過率降低。正裝結(jié)構(gòu)LEDp、n電極在LED的同一側(cè)，電流須橫向流過n-GaN層，導(dǎo)致電流擁擠，局部發(fā)熱量高，限制了驅(qū)動(dòng)電流；其次，由于藍(lán)寶石襯底導(dǎo)熱性差，嚴(yán)重阻礙了熱量的散失。在長時(shí)間使用過程中，因?yàn)樯岵缓枚鴮?dǎo)致的高溫，影響到硅膠的性能和透過率，從而造成較大的光輸出功率衰減。30W集成光源大功率LED2、COB的第二個(gè)缺點(diǎn)是光效。由于在一個(gè)狹小的面積上緊密排列了多顆LED芯片，所以單顆芯片所發(fā)出的靠近水平方向的光會(huì)遇到相鄰芯片而不斷形成全反射，最后被封裝材料吸收，不能發(fā)射出去30W集成光源大功率LED

結(jié)語當(dāng)前，LED道路照明正面臨前所未有的發(fā)展機(jī)遇和挑戰(zhàn)，我們認(rèn)為，LED路燈產(chǎn)品最亟待解決的問題為PC/PMMA材質(zhì)透鏡的黃化等導(dǎo)致的模組表觀光衰和戶外耐候性差。因此，在滿足散熱及行人對模組表面亮度舒適需求的前提下，“COB+玻璃透鏡”無疑為現(xiàn)階段及未來最值得信賴的LED路燈模組形式。。而對于SMD，只要間距合理，就不存在這個(gè)問題(見圖2)。正是這個(gè)全反射使得COB的發(fā)光效率從一開始就比LED燈珠的表面貼裝低10%。同時(shí)，封裝材料吸收水平方向光線所帶來的熱量和芯片密集排列本身產(chǎn)生的熱量疊加，導(dǎo)致COB工作溫度偏高，再次影響芯片光效。即使使用相同的芯片，COB也要比表面貼裝少20lm/W左右。我認(rèn)為COB光源需要不斷提高性價(jià)比，才能擴(kuò)大其應(yīng)用范圍：首先，COB基板導(dǎo)熱性能要提高，出光效率要提升，這樣集成度會(huì)增加，單位面積的功率可以做的更高;其次，LED芯片需要繼續(xù)提高性價(jià)比，尤其是中功率芯片，COB的大部分成本由芯片決定;再則，提升COB生產(chǎn)設(shè)備自動(dòng)化程度，目前COB生產(chǎn)設(shè)備自動(dòng)化程度不高，其生產(chǎn)效率低下，生產(chǎn)成本偏高。

30W集成光源大功率LED首先，從本質(zhì)上講，COB光源也叫集成光源，只是因其在功率方面的限制，業(yè)內(nèi)專業(yè)人士將其與大功率集成光源區(qū)分開來同時(shí)，國產(chǎn)cob以更高的性價(jià)比和服務(wù)開拓市場，外資企業(yè)的市場份額正在被不斷壓縮。目前，市場上流通高光效cob，約70%-80%的份額以性價(jià)比較高的國產(chǎn)cob產(chǎn)品為主。隨著芯片價(jià)格的不斷下降，中功率cob價(jià)格也隨之下調(diào)，導(dǎo)致smd對cob價(jià)格優(yōu)勢不復(fù)存在，同時(shí)cob的標(biāo)準(zhǔn)化將進(jìn)一步加劇市場競爭及加速替換。，簡單的講cob通常指小功率或中功率的芯片進(jìn)行封裝的，一般整體功率不超過50w，集成光源則通常是大功率芯片進(jìn)行封裝的，整體功率通常在50w以上。

30W集成光源大功率LEDMCOB小功率的封裝和大功率的封裝:無論如何，小功率的封裝效率一定要大于高功率封裝的15%以上，大功率的芯片很大，出光面積只有4個(gè)其二從封裝工藝上方面，COB光源所使用的支架則有很多種尺寸，其形狀有方形，長方形，橢圓形等尺寸不一的幾十種支架，其材質(zhì)以鋁為主，也有銅制和陶瓷制的支架，一般都不帶邊腳，而集成LED燈珠使用的支架只有10W，100W，500W等幾種方方正正的支架，其材質(zhì)以銅為主，且支架都帶有2個(gè)邊腳；，可是小芯片分成16個(gè)30W集成光源大功率LED，那出光面積就是4乘16個(gè)，所以出光面積比它大，所以無論如何我們提高15%的出光效率，更是基于這個(gè)理由，MCOB不是一個(gè)杯，MCOB找多個(gè)杯也是目的讓它出光效率更高，正是因?yàn)槎啾璏COB的技術(shù)，它的出光效率比現(xiàn)在普通的cob多的體現(xiàn)在出光效率上。