2、發(fā)光面溫度實測為進一步從實驗上研究COB光源的熱分布，選用我司14年主推的一款定型產(chǎn)品作為實驗研究對象，該款光源選用是的高反射率鏡面鋁為基板，這種封裝結構一方面可大幅提高出光效率，另一方面封裝形式采用熱電分離的形式，沒有普通鋁基板的絕緣層作為阻攔，可進一步降低熱阻和結溫，實現(xiàn)COB光源高光通量密度輸出。COB光源2)采用ASM的焊線設備將晶片11與基板12過導電線13進行電性連接，使晶片11與基板12上的電路實現(xiàn)導通，焊接完成后，對產(chǎn)品進行檢測，不合格的產(chǎn)品重新返修，合格的產(chǎn)品轉入下一道工序；3)在基板12上設置第一層圍壩14，晶片11及導電線13處于第一層圍壩14所包圍的區(qū)域內，將設置好第一層圍壩14的基板12放進烤箱進行烘烤，待第一層圍壩14固化后取出COB光源

其三從光源所使用的芯片方面，COB光源則主要以不足1瓦的小功率LED芯片為主，極少量的COB光源也會用到1瓦以上的大功率LED芯片，但不是主要的，而集成LED燈珠一般是使用1瓦以上的大尺寸大功率LED芯片；。當然，亦可以采用自然固化的方法使第一層圍壩14固化；在第一層圍壩14上設置第二層圍壩15，將設置好第二層圍壩15的基板12放進烤箱進行烘烤，待第二層圍壩15固化后取出，亦可以采用自然固化的方法使第二層圍壩15固化，此時第一層圍壩14以及第二層圍壩15形成整體式的整體圍壩。根據(jù)實際需要，可在第二層圍壩15上設置繼續(xù)設置圍壩，這樣形成整體圍壩的層數(shù)更多，使得整體圍壩的高度更高，設置圍壩的目的是為了后面的封膠做準備，而設置多層的整體圍壩是為了增加圍壩的高度，亦可用其他方法增加圍壩的高度，如優(yōu)化圍壩設備等；其中P(T)為輻射能量，σ為斯特藩—玻耳茲曼常量，ε為發(fā)射率，紅外測溫的精確與待測材料的發(fā)射率密切相關，由于COB光源表面的大部分材料發(fā)射率是未知的，為了精準測溫，可將光源放置在恒溫加熱臺上，待光源加熱到一個已知溫度處于熱平衡狀態(tài)后，用紅外熱成像儀測量物體表面溫度，再調整材料的發(fā)射率，使其溫度顯示為正確溫度。

COB光源MCOB（MuiltiChipsOnBoard），即多杯集成式COB封裝技術，它是COB封裝工藝的拓展,MCOB封裝是把芯片直接放在光學的杯子里面的目前COB類的集成式封裝LED光源的技術及工藝已非常成熟，在出光效率、光衰控制、壽命等方面已與SMD光源相媲美。對于燈具制造企業(yè)，COB光源的配套較SMD光源更為靈活，光源芯片的更換，相關部件無需大范圍配套調整。但是COB類光源由于其高功率密度特性，對散熱有較高的要求，需要解決COB光源熱集中的問題，如在散熱上通過熱量橫向傳導、散熱器均溫等方式，防止熱堆積影響光源的發(fā)光效率與光衰壽命等。石墨烯散熱LED的出現(xiàn)無疑完美的解決了以上問題。，在每個單一芯片上涂覆熒光粉并完成點膠等工序.LED芯片光是集中在杯內部的，要讓光線更多的跑出來，出光的口越多光效就越高，MCOB小功率芯片封裝的效率一般要高于大功率芯片封裝的效率。它直接將芯片放置在金屬等基板熱沉上，從而縮短散熱路徑、降低熱阻、提升散熱效果，并有效降低發(fā)光芯片的結溫。

COB光源2、使用的支架不同LED集成光源使用的支架只有10W，100W，500W等幾種方方正正的支架，其材質以銅為主，且支架都帶有2個邊腳COB光源圖4：樣品紅外熱成像圖從圖中可以看到，藍色樣品的發(fā)光面最高溫度為93.6℃，2700K的發(fā)光面最高溫度為124.5℃、6500K的發(fā)光面最高溫度為107.8℃。溫度的差異可如下解釋，白光是由芯片產(chǎn)生的藍光激發(fā)熒光粉混成白光，在藍光激發(fā)熒光粉的過程中，熒光粉和硅膠會吸收一部分光轉化成熱，經(jīng)過測量可知藍色樣品的光電轉換效率為41.6%，2700K樣品為32.2%，6500K為38.5%，2700K樣品的光電轉換效率最低，主要原因是2700K樣品的熒光粉使用量多于6500K，在藍光激發(fā)熒光粉過程中有更多藍光轉換成熱量，相關參數(shù)參考表2。。而COB光源所使用的支架則有很多種尺寸，其形狀有方形，長方形，橢圓形等尺寸不一的幾十種支架，其材質以鋁為主，也有銅制和陶瓷制的支架，一般都不帶邊腳。