現(xiàn)在國(guó)產(chǎn)cob光源在r9大于零，顯色指數(shù)大于80的前提下，已可以將光效做到110lm/w。進(jìn)入到2014年以后，國(guó)產(chǎn)和進(jìn)口cob技術(shù)差距不斷縮小。鄒義明表示，今年國(guó)產(chǎn)cob整體光效將在現(xiàn)有基礎(chǔ)上提升10%左右，超過(guò)120lm/w，以更好地適應(yīng)當(dāng)前商照市場(chǎng)需求。高壓COB光源2、COB的第二個(gè)缺點(diǎn)是光效。由于在一個(gè)狹小的面積上緊密排列了多顆LED芯片，所以單顆芯片所發(fā)出的靠近水平方向的光會(huì)遇到相鄰芯片而不斷形成全反射，最后被封裝材料吸收，不能發(fā)射出去高壓COB光源

對(duì)于COB光源接下來(lái)的發(fā)展，首先是在確保產(chǎn)品性能的前提下，將規(guī)模提上去、價(jià)格降下來(lái)；其次是從小功率向中、大功率發(fā)展；最后是結(jié)合COB光源的特性，配套研發(fā)更多的燈具，讓COB光源更充分發(fā)揮其作用。多方熱議。而對(duì)于SMD，只要間距合理，就不存在這個(gè)問(wèn)題(見(jiàn)圖2)。正是這個(gè)全反射使得COB的發(fā)光效率從一開(kāi)始就比LED燈珠的表面貼裝低10%。同時(shí)，封裝材料吸收水平方向光線所帶來(lái)的熱量和芯片密集排列本身產(chǎn)生的熱量疊加，導(dǎo)致COB工作溫度偏高，再次影響芯片光效。即使使用相同的芯片，COB也要比表面貼裝少20lm/W左右。高壓COB光源MCOB技術(shù)將LED芯片封裝進(jìn)光學(xué)的杯子里，學(xué)習(xí)了LEDSMD器件點(diǎn)膠精粹，在每個(gè)單一芯片上涂覆熒光粉并完成點(diǎn)膠等工序，使用此種方法熒光粉的使用量將極大地減少高壓COB光源

其次是從小功率向中、大功率發(fā)展。

。同時(shí)LED芯片發(fā)光是集中在芯片內(nèi)部，MCOB平面光源是多杯集成芯片，提供更多的出光口，讓光充分多角度發(fā)出來(lái)，光效率明顯提升。

高壓COB光源技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：本發(fā)明提供的COB光源制作方法，旨在解決現(xiàn)有技術(shù)中同時(shí)，國(guó)產(chǎn)cob以更高的性價(jià)比和服務(wù)開(kāi)拓市場(chǎng)，外資企業(yè)的市場(chǎng)份額正在被不斷壓縮。目前，市場(chǎng)上流通高光效cob，約70%-80%的份額以性價(jià)比較高的國(guó)產(chǎn)cob產(chǎn)品為主。隨著芯片價(jià)格的不斷下降，中功率cob價(jià)格也隨之下調(diào)，導(dǎo)致smd對(duì)cob價(jià)格優(yōu)勢(shì)不復(fù)存在，同時(shí)cob的標(biāo)準(zhǔn)化將進(jìn)一步加劇市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)及加速替換。，COB光源長(zhǎng)時(shí)間使用時(shí)會(huì)產(chǎn)生較高的溫度高壓COB光源，導(dǎo)致熒光膠開(kāi)裂或芯片衰減嚴(yán)重，降低了COB光源的使用壽命的問(wèn)題。本發(fā)明是這樣實(shí)現(xiàn)的，包括以下步驟：