但隨著LED芯片及LED封裝技術(shù)的快速發(fā)展，PC透鏡在紫外線照射、高溫環(huán)境下易黃化、造成的光衰已經(jīng)遠遠超過LED光源，抗腐蝕能力差，材料硬度低，表面易被風沙刮傷，易靜電吸附空氣中灰塵，透鏡的出光率逐漸下降等缺陷，被更多專業(yè)制造商與終端用戶所注意。倒裝集成光源LED集成光源和COB光源有區(qū)別如下：1、使用的LED芯片不同LED集成光源一般是使用1瓦以上的大尺寸大功率LED芯片，芯片尺寸一般都是30MIL以上的倒裝集成光源

Cob光源制作工藝COB板上芯片(ChipOnBoard,COB)工藝過程首先是在基底表面用導熱環(huán)氧樹脂(一般用摻銀顆粒的環(huán)氧樹脂)覆蓋硅片安放點，然后將硅片直接安放在基底表面，熱處理至硅片牢固地固定在基底為止，隨后再用絲焊的方法在硅片和基底之間直接建立電氣連接。。而COB光源則主要以不足1瓦的小功率LED芯片為主，極少量的COB光源也會用到1瓦以上的大功率LED芯片。“由于西鐵城、夏普等主流cob廠商的進入，現(xiàn)在市場上也主要以它們的標準為準，所以通用性方面已不存在太大問題?！毙略鹿怆娍偨?jīng)理鄒義明表示，公司在第一季度增加10條生產(chǎn)線，到第二季度的cob產(chǎn)能將達到15kk/月。

倒裝集成光源COB光源發(fā)光面溫度偏高，一方面是由光源具有高光通量密度輸出，熒光膠吸光轉(zhuǎn)成熱造成的；另一方面則是發(fā)光面的溫度不適合采用熱電偶進行接觸測量光衰較大失效的主要原因是硅膠的黃化或透過率降低。正裝結(jié)構(gòu)LEDp、n電極在LED的同一側(cè)，電流須橫向流過n-GaN層，導致電流擁擠，局部發(fā)熱量高，限制了驅(qū)動電流；其次，由于藍寶石襯底導熱性差，嚴重阻礙了熱量的散失。在長時間使用過程中，因為散熱不好而導致的高溫，影響到硅膠的性能和透過率，從而造成較大的光輸出功率衰減。。一、引言COB(Chip-on-Board)封裝技術(shù)因其具有熱阻低、光通量密度高、色容差小、組裝工序少等優(yōu)勢，在業(yè)內(nèi)受到越來越多的關(guān)注。COB封裝技術(shù)已在IC集成電路中應用多年，但對于廣大的燈具制造商和消費者，光源采用COB封裝還是新穎的技術(shù)。

倒裝集成光源3、還有MCOB，也就是MuiltiChipsOnBoard，即多體面集成封裝方式，它是COB封裝工藝的拓展，MCOB封裝是把芯片直接放在光學的杯子里面的倒裝集成光源小結(jié)COB光源在封裝上采用的是將芯片直接貼裝到基板上方，熱阻較SMD器件要小，有利于芯片散熱，實際工作中芯片的結(jié)溫遠低于芯片允許的最高結(jié)溫。由于光源采用多芯片排布，可在較小發(fā)光面實現(xiàn)高流明密度輸出。光源工作時，熒光粉和硅膠會吸收一部分光轉(zhuǎn)換成熱，高光通量密度輸出會導致發(fā)光面熱量較為集中，導致發(fā)光面的溫度較高。如果采用熱電偶直接測量發(fā)光面的溫度，熱電偶的探頭也會吸光轉(zhuǎn)換成熱，使溫度測量值偏高。，在每個單一芯片上涂覆熒光粉并完成點膠等工序.LED芯片光是集中在杯內(nèi)部的，要讓光線更多的跑出來，出光的口越多光效就越高，MCOB小功率芯片封裝的效率一般要高于大功率芯片封裝的效率。它直接將芯片放置在金屬等基板熱沉上，從而縮短散熱路徑、降低熱阻、提升散熱效果，并有效降低發(fā)光芯片的結(jié)溫；