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深圳COB芯片原理

來源:  發(fā)布時間:2021-09-04   點(diǎn)擊量:328

COB光源可應(yīng)用的范圍很廣。

COB芯片2)采用ASM的焊線設(shè)備將晶片11與基板12過導(dǎo)電線13進(jìn)行電性連接,使晶片11與基板12上的電路實現(xiàn)導(dǎo)通,焊接完成后,對產(chǎn)品進(jìn)行檢測,不合格的產(chǎn)品重新返修,合格的產(chǎn)品轉(zhuǎn)入下一道工序;3)在基板12上設(shè)置第一層圍壩14,晶片11及導(dǎo)電線13處于第一層圍壩14所包圍的區(qū)域內(nèi),將設(shè)置好第一層圍壩14的基板12放進(jìn)烤箱進(jìn)行烘烤,待第一層圍壩14固化后取出COB芯片

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。當(dāng)然,亦可以采用自然固化的方法使第一層圍壩14固化;在第一層圍壩14上設(shè)置第二層圍壩15,將設(shè)置好第二層圍壩15的基板12放進(jìn)烤箱進(jìn)行烘烤,待第二層圍壩15固化后取出,亦可以采用自然固化的方法使第二層圍壩15固化,此時第一層圍壩14以及第二層圍壩15形成整體式的整體圍壩。根據(jù)實際需要,可在第二層圍壩15上設(shè)置繼續(xù)設(shè)置圍壩,這樣形成整體圍壩的層數(shù)更多,使得整體圍壩的高度更高,設(shè)置圍壩的目的是為了后面的封膠做準(zhǔn)備,而設(shè)置多層的整體圍壩是為了增加圍壩的高度,亦可用其他方法增加圍壩的高度,如優(yōu)化圍壩設(shè)備等;COB芯片在步驟2)中,導(dǎo)電線13設(shè)置為直線彎折狀。現(xiàn)有技術(shù)中,COB光源的導(dǎo)電線13呈弧形,在受到垂直壓力的時候容易在焊接處斷裂,造成死燈的問題,不利于COB光源的組裝及使用COB芯片

其次是從小功率向中、大功率發(fā)展。

。本實施例中,將導(dǎo)電線13設(shè)置為直線彎折狀,這樣,在正面受到壓力時,該壓力不會作用在彎曲狀的導(dǎo)電線13頂部,而是作用在彎曲狀的導(dǎo)電線13的側(cè)部,同時彎曲狀的導(dǎo)電線13自身具有較好的緩沖作用,使得導(dǎo)電線13在受到壓力時不易斷裂,解決了在組裝或使用時導(dǎo)電線13受到壓力容易斷裂的問題。

COB芯片1)在LED光源前增加一層不完全透光的膜(擴(kuò)光板)。此方案有個大問題,當(dāng)時LED的發(fā)光效率不高,擴(kuò)光板使得整體光效更低了圖4:樣品紅外熱成像圖從圖中可以看到,藍(lán)色樣品的發(fā)光面最高溫度為93.6℃,2700K的發(fā)光面最高溫度為124.5℃、6500K的發(fā)光面最高溫度為107.8℃。溫度的差異可如下解釋,白光是由芯片產(chǎn)生的藍(lán)光激發(fā)熒光粉混成白光,在藍(lán)光激發(fā)熒光粉的過程中,熒光粉和硅膠會吸收一部分光轉(zhuǎn)化成熱,經(jīng)過測量可知藍(lán)色樣品的光電轉(zhuǎn)換效率為41.6%,2700K樣品為32.2%,6500K為38.5%,2700K樣品的光電轉(zhuǎn)換效率最低,主要原因是2700K樣品的熒光粉使用量多于6500K,在藍(lán)光激發(fā)熒光粉過程中有更多藍(lán)光轉(zhuǎn)換成熱量,相關(guān)參數(shù)參考表2。。2)從改善光源入手,在光源端消除“鬼影”COB芯片。這就是COB最初的發(fā)展動機(jī),可是很快就被放棄了。原因很簡單,COB屬于二次封裝,技術(shù)和工藝相對復(fù)雜,以當(dāng)時的技術(shù)單片COB只要超過35W就沒有辦法在批量生產(chǎn)中保持質(zhì)量穩(wěn)定,其光效、散熱也比不上表面貼裝。

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