光衰較大失效的主要原因是硅膠的黃化或透過(guò)率降低。正裝結(jié)構(gòu)LEDp、n電極在LED的同一側(cè)，電流須橫向流過(guò)n-GaN層，導(dǎo)致電流擁擠，局部發(fā)熱量高，限制了驅(qū)動(dòng)電流；其次，由于藍(lán)寶石襯底導(dǎo)熱性差，嚴(yán)重阻礙了熱量的散失。在長(zhǎng)時(shí)間使用過(guò)程中，因?yàn)樯岵缓枚鴮?dǎo)致的高溫，影響到硅膠的性能和透過(guò)率，從而造成較大的光輸出功率衰減。LED集成燈珠100W黃光2、COB的第二個(gè)缺點(diǎn)是光效。由于在一個(gè)狹小的面積上緊密排列了多顆LED芯片，所以單顆芯片所發(fā)出的靠近水平方向的光會(huì)遇到相鄰芯片而不斷形成全反射，最后被封裝材料吸收，不能發(fā)射出去LED集成燈珠100W黃光

裸芯片技術(shù)主要有兩種形式：一種COB技術(shù)，另一種是倒裝片技術(shù)(FlipChip)。板上芯片封裝(COB)，半導(dǎo)體芯片交接貼裝在印刷線路板上，芯片與基板的電氣連接用引線縫合方法實(shí)現(xiàn)，并用樹(shù)脂覆蓋以確?？煽啃?。。而對(duì)于SMD，只要間距合理，就不存在這個(gè)問(wèn)題(見(jiàn)圖2)。正是這個(gè)全反射使得COB的發(fā)光效率從一開(kāi)始就比LED燈珠的表面貼裝低10%。同時(shí)，封裝材料吸收水平方向光線所帶來(lái)的熱量和芯片密集排列本身產(chǎn)生的熱量疊加，導(dǎo)致COB工作溫度偏高，再次影響芯片光效。即使使用相同的芯片，COB也要比表面貼裝少20lm/W左右。其二從封裝工藝上方面，COB光源所使用的支架則有很多種尺寸，其形狀有方形，長(zhǎng)方形，橢圓形等尺寸不一的幾十種支架，其材質(zhì)以鋁為主，也有銅制和陶瓷制的支架，一般都不帶邊腳，而集成LED燈珠使用的支架只有10W，100W，500W等幾種方方正正的支架，其材質(zhì)以銅為主，且支架都帶有2個(gè)邊腳；

LED集成燈珠100W黃光COB光源發(fā)光面溫度偏高，一方面是由光源具有高光通量密度輸出，熒光膠吸光轉(zhuǎn)成熱造成的；另一方面則是發(fā)光面的溫度不適合采用熱電偶進(jìn)行接觸測(cè)量與傳統(tǒng)LED封裝技術(shù)相比，COB面板光源光線很柔和，具有非常大的市場(chǎng)。目前市場(chǎng)上做COB封裝的企業(yè)數(shù)量在逐漸增多，COB基板材料也有了改進(jìn)，由早期的銅基板，發(fā)展到鋁基板，再到目前部分企業(yè)所采用的陶瓷基板，逐漸提高了COB光源的可靠性。。一、引言COB(Chip-on-Board)封裝技術(shù)因其具有熱阻低、光通量密度高、色容差小、組裝工序少等優(yōu)勢(shì)，在業(yè)內(nèi)受到越來(lái)越多的關(guān)注。COB封裝技術(shù)已在IC集成電路中應(yīng)用多年，但對(duì)于廣大的燈具制造商和消費(fèi)者，光源采用COB封裝還是新穎的技術(shù)。

LED集成燈珠100W黃光COB與傳統(tǒng)LEDSMD比較背景：LED自進(jìn)入照明領(lǐng)域，最初形式是燈珠直接焊接在板上，先3528，5050，再后來(lái)3014，2835LED集成燈珠100W黃光2、發(fā)光面溫度實(shí)測(cè)為進(jìn)一步從實(shí)驗(yàn)上研究COB光源的熱分布，選用我司14年主推的一款定型產(chǎn)品作為實(shí)驗(yàn)研究對(duì)象，該款光源選用是的高反射率鏡面鋁為基板，這種封裝結(jié)構(gòu)一方面可大幅提高出光效率，另一方面封裝形式采用熱電分離的形式，沒(méi)有普通鋁基板的絕緣層作為阻攔，可進(jìn)一步降低熱阻和結(jié)溫，實(shí)現(xiàn)COB光源高光通量密度輸出。。但這種方式的弊端是工序繁多，又是LED封裝又是SMT，成本高，更有傳熱等問(wèn)題。所以COB在這個(gè)時(shí)候被引進(jìn)了LED領(lǐng)域。