圖4：樣品紅外熱成像圖從圖中可以看到，藍色樣品的發(fā)光面最高溫度為93.6℃，2700K的發(fā)光面最高溫度為124.5℃、6500K的發(fā)光面最高溫度為107.8℃。溫度的差異可如下解釋，白光是由芯片產(chǎn)生的藍光激發(fā)熒光粉混成白光，在藍光激發(fā)熒光粉的過程中，熒光粉和硅膠會吸收一部分光轉(zhuǎn)化成熱，經(jīng)過測量可知藍色樣品的光電轉(zhuǎn)換效率為41.6%，2700K樣品為32.2%，6500K為38.5%，2700K樣品的光電轉(zhuǎn)換效率最低，主要原因是2700K樣品的熒光粉使用量多于6500K，在藍光激發(fā)熒光粉過程中有更多藍光轉(zhuǎn)換成熱量，相關參數(shù)參考表2。集成面光源2)采用ASM的焊線設備將晶片11與基板12過導電線13進行電性連接，使晶片11與基板12上的電路實現(xiàn)導通，焊接完成后，對產(chǎn)品進行檢測，不合格的產(chǎn)品重新返修，合格的產(chǎn)品轉(zhuǎn)入下一道工序；3)在基板12上設置第一層圍壩14，晶片11及導電線13處于第一層圍壩14所包圍的區(qū)域內(nèi)，將設置好第一層圍壩14的基板12放進烤箱進行烘烤，待第一層圍壩14固化后取出集成面光源

對于COB光源接下來的發(fā)展，首先是在確保產(chǎn)品性能的前提下，將規(guī)模提上去、價格降下來;其次是從小功率向中、大功率發(fā)展;最后是結合COB光源的特性，配套研發(fā)更多的燈具，讓COB光源更充分發(fā)揮其作用。自2013以來，西鐵城、夏普、philipslumileds、首爾半導體、cree等國際大廠相繼在中國市場推出高光效、高品質(zhì)、高效率的cob新品。。當然，亦可以采用自然固化的方法使第一層圍壩14固化；在第一層圍壩14上設置第二層圍壩15，將設置好第二層圍壩15的基板12放進烤箱進行烘烤，待第二層圍壩15固化后取出，亦可以采用自然固化的方法使第二層圍壩15固化，此時第一層圍壩14以及第二層圍壩15形成整體式的整體圍壩。根據(jù)實際需要，可在第二層圍壩15上設置繼續(xù)設置圍壩，這樣形成整體圍壩的層數(shù)更多，使得整體圍壩的高度更高，設置圍壩的目的是為了后面的封膠做準備，而設置多層的整體圍壩是為了增加圍壩的高度，亦可用其他方法增加圍壩的高度，如優(yōu)化圍壩設備等；石墨烯散熱或成COB+玻璃透鏡的絕佳催化劑跟傳統(tǒng)的COB解決方案相比，明朔科技石墨烯散熱的創(chuàng)新解決方案可通過石墨烯散熱技術及散熱器的結構設計，提升系統(tǒng)散熱效率，有效的降低光源的芯片溫度及膠面溫度，從而提高效能，降低光衰，保證產(chǎn)品壽命;通過多顆COB+多自由曲面復合式結構透鏡的方式可進一步提升散熱效率，提高效能，降低透鏡表面亮度，減小散熱器體積;通過對玻璃透鏡光學設計的不斷優(yōu)化及創(chuàng)新性嘗試，在滿足相關國標、國際標準的前提下，可進一步提高配光效率及光品質(zhì);根據(jù)COB光源的特性及應用匹配特性，從發(fā)光效能、光學配光匹配、散熱方式匹配等角度出發(fā)，定制相關COB光源的原材料及封裝形式，進一步發(fā)揮產(chǎn)品的優(yōu)勢特性。

集成面光源步驟4)中，熒光膠16平鋪后，熒光膠16的高度超過第一層圍壩14的頂部的高度，且低于第二層圍壩15的頂部的高度。也就是說對于COB光源接下來的發(fā)展，首先是在確保產(chǎn)品性能的前提下，將規(guī)模提上去、價格降下來；其次是從小功率向中、大功率發(fā)展；最后是結合COB光源的特性，配套研發(fā)更多的燈具，讓COB光源更充分發(fā)揮其作用。多方熱議，通過本COB光源制作方法制作的COB光源，其熒光膠16的厚度比常規(guī)COB光源的大，這樣使得通過本COB光源制作方法制作的COB光源緩沖作用更好，能夠更好的保護內(nèi)部的導電線13。同時，熒光膠16的高度低于第二層圍壩15的高度，避免了熒光膠16溢出圍壩的情況發(fā)生。

集成面光源3、還有MCOB，也就是MuiltiChipsOnBoard，即多體面集成封裝方式，它是COB封裝工藝的拓展，MCOB封裝是把芯片直接放在光學的杯子里面的集成面光源●安裝簡單，使用方便，降低燈具設計難度，節(jié)約燈具加工及后續(xù)維護成本。COB光源是在LED芯片直接貼在高反光率的鏡面金屬基板上的高光效集成面光源技術，此技術剔除了支架概念，無電鍍、無回流焊、無貼片工序，因此工序減少近三分之一，成本也節(jié)約了三分之一。，在每個單一芯片上涂覆熒光粉并完成點膠等工序.LED芯片光是集中在杯內(nèi)部的，要讓光線更多的跑出來，出光的口越多光效就越高，MCOB小功率芯片封裝的效率一般要高于大功率芯片封裝的效率。它直接將芯片放置在金屬等基板熱沉上，從而縮短散熱路徑、降低熱阻、提升散熱效果，并有效降低發(fā)光芯片的結溫；