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什么是LED倒裝芯片?

來源：深圳高飛捷科技發(fā)布時(shí)間：2016-12-12 點(diǎn)擊量：1586

LED倒裝芯片

倒裝芯片技術(shù)與傳統(tǒng)的引線鍵合工藝相比具有許多明顯的優(yōu)點(diǎn),包括,優(yōu)越的電學(xué)及熱學(xué)性能,高I/O引腳數(shù)，封裝尺寸減小等。下面深圳高飛捷科技來為大家介紹一下什么是LED倒裝芯片：

據(jù)了解，倒裝芯片之所以被稱為“倒裝”是相對于傳統(tǒng)的金屬線鍵合連接方式（Wire Bonding）與植球后的工藝而言的。傳統(tǒng)的通過金屬線鍵合與基板連接的晶片電氣面朝上，而倒裝晶片的電氣面朝下，相當(dāng)于將前者翻轉(zhuǎn)過來，故稱其為“倒裝芯片”。

    倒裝LED芯片，通過MOCVD技術(shù)在藍(lán)寶石襯底上生長GaN基LED結(jié)構(gòu)層，由P/N結(jié)發(fā)光區(qū)發(fā)出的光透過上面的P型區(qū)射出。由于P型GaN傳導(dǎo)性能不佳，為獲得良好的電流擴(kuò)展，需要通過蒸鍍技術(shù)在P區(qū)表面形成一層Ni- Au組成的金屬電極層。

    P區(qū)引線通過該層金屬薄膜引出。為獲得好的電流擴(kuò)展，Ni-Au金屬電極層就不能太薄。為此，器件的發(fā)光效率就會受到很大影響，通常要同時(shí)兼顧電流擴(kuò)展與出光效率二個(gè)因素。

    但無論在什么情況下，金屬薄膜的存在，總會使透光性能變差。此外，引線焊點(diǎn)的存在也使器件的出光效率受到影響。采用GaN LED倒裝芯片的結(jié)構(gòu)可以從根本上消除上面的問題。

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