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選擇這個殺菌LED集成光源,COB光源是在LED芯片直接貼在高反光率的鏡面金屬基板上的高光效集成面光源技術(shù),此技術(shù)剔除了支架概念,
半導(dǎo)體照明作為我國戰(zhàn)略新興產(chǎn)業(yè),對節(jié)能環(huán)保意義重大,中國是全球半導(dǎo)體照明產(chǎn)品生產(chǎn)、使用和出口大國。然而,在特種LED光源領(lǐng)域,由于技術(shù)門檻較高,市場一直被國外公司所壟斷。
7WCOB光源光衰較大失效的主要原因是硅膠的黃化或透過率降低。正裝結(jié)構(gòu)LED p、n電極在LED的同一側(cè),電流須橫向流過n-GaN層,導(dǎo)致電流擁擠,局部發(fā)熱量高,限制了驅(qū)動電流;其次,由于藍(lán)寶石襯底導(dǎo)熱性差,嚴(yán)重阻礙了熱量的散失。在長時間使用過程中,因為散熱不好而導(dǎo)致的高溫,影響到硅膠的性能和透過率,從而造成較大的光輸出功率衰減。
無電鍍、無回流焊、無貼片工序,因此工序減少近三分之一,成本也節(jié)約了三分之一。除了體積,LED光源還具有長壽命的優(yōu)勢,這也是最大的優(yōu)勢,燈泡衰減速度快,而LED雖然也衰減,但是速度較慢,理論上它有幾萬小時的壽命。
瞬態(tài)光效是LED光源短時間的光_電轉(zhuǎn)換特性,它與芯片和熒光粉量子激發(fā)能力、膠體折射率、透光率、支架結(jié)構(gòu)(反光杯)反光率等條件有關(guān),與芯片結(jié)溫基本無關(guān)。它只有測量對比意義,瞬態(tài)光效不能代表實際工作狀態(tài)。
未來市場會朝專業(yè)化方向發(fā)展,從光學(xué)上看CSP更適合做筒燈而不適合做射燈,EMC&PCT更適合做性價比高的中小功率產(chǎn)品,陶瓷封裝則適合做小尺寸大功率產(chǎn)品等等,即使CSP技術(shù)再成熟,畢竟在尺寸上不可能無止境的縮小,依舊會存在瓶頸,封裝廠家生存市場仍然非常可觀。
7WCOB光源而在1萬小時的時候,亮度還能達(dá)到初始亮度的70%到80%,而傳統(tǒng)的燈泡光源,在這個使用時間上已經(jīng)更換兩次了,畢竟傳統(tǒng)光源只能使用4000小時亮度就僅僅只有初始亮度一半不到了選擇這個免驅(qū)動LED光源,COB光源可以簡單理解為高功率集成面光源,可以根據(jù)產(chǎn)品外形結(jié)構(gòu)設(shè)計光源的出光面積和外形尺寸。
實現(xiàn)大功率LED照明的方法有兩種:一是對單顆大功率LED芯片進(jìn)行封裝,二是采用多芯片集成封裝。對于前者來說,隨著芯片技術(shù)的發(fā)展,尺寸增大,品質(zhì)提高,可通過大電流驅(qū)動實現(xiàn)大功率LED,但同時會受到芯片尺寸的限制,后者具有更大的靈活性和發(fā)展?jié)摿?,可根?jù)照度不同來改變芯片的數(shù)量,同時 它具有較高的性價比,使得LED集成封裝成為LED封裝的主流方向之一。
通過MOCVD技術(shù)在蘭寶石襯底上生長GaN基LED結(jié)構(gòu)層,由P/N結(jié)髮光區(qū)發(fā)出的光透過上面的P型區(qū)射出。由于P型GaN傳導(dǎo)性能不佳,為獲得良好的電流擴(kuò)展,需要通過蒸鍍技術(shù)在P區(qū)表面形成一層Ni-Au組成的金屬電極層。P區(qū)引線通過該層金屬薄膜引出。
7WCOB光源COB (Chip On Board)是將芯片通過銀膠固定于基板上,芯片與基板的電氣連接用焊線方法實現(xiàn),等同于正裝芯片直接連接基板。下一篇: 廣州15WCOB光源尺寸
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