裸芯片技術(shù)主要有兩種形式：一種COB技術(shù)，另一種是倒裝片技術(shù)(FlipChip)。板上芯片封裝(COB)，半導(dǎo)體芯片交接貼裝在印刷線路板上，芯片與基板的電氣連接用引線縫合方法實現(xiàn)，并用樹脂覆蓋以確?？煽啃浴?0W集成燈珠2)采用ASM的焊線設(shè)備將晶片11與基板12過導(dǎo)電線13進行電性連接，使晶片11與基板12上的電路實現(xiàn)導(dǎo)通，焊接完成后，對產(chǎn)品進行檢測，不合格的產(chǎn)品重新返修，合格的產(chǎn)品轉(zhuǎn)入下一道工序；3)在基板12上設(shè)置第一層圍壩14，晶片11及導(dǎo)電線13處于第一層圍壩14所包圍的區(qū)域內(nèi)，將設(shè)置好第一層圍壩14的基板12放進烤箱進行烘烤，待第一層圍壩14固化后取出50W集成燈珠

現(xiàn)在國產(chǎn)cob光源在r9大于零，顯色指數(shù)大于80的前提下，已可以將光效做到110lm/w。進入到2014年以后，國產(chǎn)和進口cob技術(shù)差距不斷縮小。鄒義明表示，今年國產(chǎn)cob整體光效將在現(xiàn)有基礎(chǔ)上提升10%左右，超過120lm/w，以更好地適應(yīng)當(dāng)前商照市場需求。。當(dāng)然，亦可以采用自然固化的方法使第一層圍壩14固化；在第一層圍壩14上設(shè)置第二層圍壩15，將設(shè)置好第二層圍壩15的基板12放進烤箱進行烘烤，待第二層圍壩15固化后取出，亦可以采用自然固化的方法使第二層圍壩15固化，此時第一層圍壩14以及第二層圍壩15形成整體式的整體圍壩。根據(jù)實際需要，可在第二層圍壩15上設(shè)置繼續(xù)設(shè)置圍壩，這樣形成整體圍壩的層數(shù)更多，使得整體圍壩的高度更高，設(shè)置圍壩的目的是為了后面的封膠做準(zhǔn)備，而設(shè)置多層的整體圍壩是為了增加圍壩的高度，亦可用其他方法增加圍壩的高度，如優(yōu)化圍壩設(shè)備等；

此外，材料、制造設(shè)備的改進與COB的發(fā)展相輔相成，也加速了COB性價比的提升，顯現(xiàn)出其在商業(yè)照明領(lǐng)域的優(yōu)勢。

50W集成燈珠COB光源發(fā)光面溫度偏高，一方面是由光源具有高光通量密度輸出，熒光膠吸光轉(zhuǎn)成熱造成的；另一方面則是發(fā)光面的溫度不適合采用熱電偶進行接觸測量

最后是結(jié)合COB光源的特性，配套研發(fā)更多的燈具，讓COB光源更充分發(fā)揮其作用。

。一、引言COB(Chip-on-Board)封裝技術(shù)因其具有熱阻低、光通量密度高、色容差小、組裝工序少等優(yōu)勢，在業(yè)內(nèi)受到越來越多的關(guān)注。COB封裝技術(shù)已在IC集成電路中應(yīng)用多年，但對于廣大的燈具制造商和消費者，光源采用COB封裝還是新穎的技術(shù)。

50W集成燈珠有的也將SMD的小功率光源均勻的排回列在鋁基板上也稱為集成LED，但實際上這種集成只是將已封裝好的SMD光源（成品光源）焊接在鋁基板上面（如下圖答1）50W集成燈珠現(xiàn)階段，國內(nèi)cob封裝市場仍以西鐵城、夏普、科銳等外資企業(yè)為主導(dǎo)，因為其在cob光源有技術(shù)先發(fā)和品牌知名度優(yōu)勢。不過，隨著cob技術(shù)工藝的逐漸成熟，在激烈的市場倒逼下，國內(nèi)部分廠商cob封裝器件在性能上已能與外企媲美。，并非COB光源；將小功率芯片（LED芯片）直接封裝到鋁基板上的才是COB（如圖2）。所有的COB光源都是集成LED光源，但集成LED光源并非都是COB.