表1：溫度測量方法對比熱電偶成本低廉，在測溫領(lǐng)域中最為廣泛，探頭的體積越小，對溫度越靈敏，IEC60598要求熱電偶探頭涂上高反射材料減少光對溫度測量的影響。但如果將熱電偶直接貼在發(fā)光面上進行測量，探頭吸光轉(zhuǎn)換成熱的效果十分明顯，會導致測量值偏高。80W集成光源2)采用ASM的焊線設(shè)備將晶片11與基板12過導電線13進行電性連接，使晶片11與基板12上的電路實現(xiàn)導通，焊接完成后，對產(chǎn)品進行檢測，不合格的產(chǎn)品重新返修，合格的產(chǎn)品轉(zhuǎn)入下一道工序；3)在基板12上設(shè)置第一層圍壩14，晶片11及導電線13處于第一層圍壩14所包圍的區(qū)域內(nèi)，將設(shè)置好第一層圍壩14的基板12放進烤箱進行烘烤，待第一層圍壩14固化后取出80W集成光源

熒光膠的溫度高于芯片溫度是因為COB光源的芯片數(shù)量和排列密度高于比普通的SMD器件，通過熒光膠的光能量密度明顯高于SMD器件，熒光粉和硅膠都會吸收一部分的藍光轉(zhuǎn)換成熱，加上硅膠熱容與熱導率較小，導致熒光膠的溫度急劇上升，因此COB光源工作時熒光膠的溫度會遠高于芯片溫度。。當然，亦可以采用自然固化的方法使第一層圍壩14固化；在第一層圍壩14上設(shè)置第二層圍壩15，將設(shè)置好第二層圍壩15的基板12放進烤箱進行烘烤，待第二層圍壩15固化后取出，亦可以采用自然固化的方法使第二層圍壩15固化，此時第一層圍壩14以及第二層圍壩15形成整體式的整體圍壩。根據(jù)實際需要，可在第二層圍壩15上設(shè)置繼續(xù)設(shè)置圍壩，這樣形成整體圍壩的層數(shù)更多，使得整體圍壩的高度更高，設(shè)置圍壩的目的是為了后面的封膠做準備，而設(shè)置多層的整體圍壩是為了增加圍壩的高度，亦可用其他方法增加圍壩的高度，如優(yōu)化圍壩設(shè)備等；

80W集成光源意思是表面裝貼發(fā)光二極管，具有發(fā)光角度大，可以達到120-160度，相比于早期插件式封裝有效率高，精密性好，虛焊率低，質(zhì)量輕，體積小等特點；80W集成光源便于產(chǎn)品的二次光學配套，提高照明質(zhì)量。；高顯色、發(fā)光均勻、無光斑、健康環(huán)保。安裝簡單，使用方便，降低燈具設(shè)計難度，節(jié)約燈具加工及后續(xù)維護成本。LED燈是一塊電致發(fā)光的半導體材料芯片，用銀膠或白膠固化到支架上，然后用銀線或金線連接芯片和電路板，四周用環(huán)氧樹脂密封，起到保護內(nèi)部芯線的作用，最后安裝外殼，所以LED燈的抗震性能好。

80W集成光源COB燈珠主要用在室內(nèi)照明上面的，一般3-60W比較多，現(xiàn)在也有做到100-300W的集成燈珠以大功率和超zd大功率比較多10-500W不等80W集成光源，主用室外，照度較高，室內(nèi)工棚里面也有用到，現(xiàn)在室內(nèi)應用大多被回COB燈珠替代了，Cob光源制作工藝COB板上芯片(ChipOnBoard,COB)工藝過程首先是在基底表面用導熱環(huán)氧樹脂(一般用摻銀顆粒的環(huán)氧樹脂)覆蓋硅片安放點，然后將硅片直接安放在基底表面，熱處理至硅片牢固地固定在基底為止，隨后再用絲焊的方法在硅片和基底之間直接建立電氣連接。