LED燈珠晶片的主要技術(shù)參數(shù)：
A、晶片的伏安特性圖；
B、正向電壓（VF）：施加在晶片兩端，使晶片正向?qū)ǖ碾妷?。此電壓與晶片本身和測(cè)試電流存在相應(yīng)的關(guān)系。VF過(guò)大，會(huì)使晶片被擊穿。
C、正向電流（IF）：晶片在施加一定電壓后，所產(chǎn)生的正向?qū)娏鳌F的大小，與正向電壓的大小有關(guān)。晶片的工作電流在10-20mA左右。
D、反向電壓（VR）：施加在晶片上的反向電壓。
E、反向電流（IR）：是指晶片在施加反向電壓后，所產(chǎn)生的一個(gè)漏電流。此電流越小越好。因?yàn)殡娏鞔罅巳菀自斐删环聪驌舸?。微信公眾?hào)：深圳LED商會(huì)
F、亮度（IV）：指光源的明亮程度。單位換算：1cd=1000mcd
G、波長(zhǎng)：反映晶片的發(fā)光顏色。不同波長(zhǎng)的晶片其發(fā)光顏色不同。單位：nm
